Sur la possibilité d’une influence « extérieure » dans le processus d’invention du transistor

Bardeen, Shockley, Brattain    crédit: FEA

Bardeen, Shockley, Brattain
crédit: FEA

« Nous reprenons pour vous un article du FEA dont le contenu est intéressant. »

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Article source: feairplane.canalblog.com/

FEA

Par F. Anceau

le 13 Janvier2015:

 En 2003, j’ai mis sur le site d’UFOCOM un document [1] dans lequel je mentionnais que je n’avais trouvé aucune faille susceptible de justifier d’une influence « extérieure » dans le processus d’invention du transistor bipolaire, malgré l’affirmation du contraire faite par Ph. J. Corso dans son ouvrage « The Days after Roswell » [2].

Depuis, ma connaissance du sujet s’est approfondie et j’ai appris que l’histoire de l’invention du transistor était beaucoup plus complexe que ce qu’indiquaient les livres d’histoire des techniques, et qu’une influence « extérieure » pouvait effectivement s’y insérer, permettant d’éclaircir une énigme stratégique.

La découverte du transistor à pointes découle assez directement du développement du RADAR dans les années 1930 et 40. Comme la précision de la radiodétection est directement liée à la fréquence des ondes électromagnétiques utilisées, celle-ci doit être la plus élevée possible. Un tube, appelé « magnétron », étudié par plusieurs laboratoires, a permis d’utiliser des fréquences de l’ordre de quelques gigahertz, qui ont permis une bonne identification et une bonne séparation des échos. La réception de ceux-ci, à de telles fréquences, n’était pas possible avec la technologie radioélectrique de l’époque, largement basée sur les tubes électroniques. Des diodes spéciales, dérivées des détecteurs à galène utilisés au début de la radio, permirent de surmonter cet obstacle et le RADAR devint un acteur majeur de la seconde guerre mondiale.

1

Diode RADAR NEC GSB2

 Toutefois, malgré le début du développement de la théorie des semi-conducteurs, le fonctionnement des diodes à pointes comportait encore, à cette époque, de nombreux mystères qui limitaient leur développement. Pour les résoudre, des recherches furent menées par John Bardeen et Walter Houser Brattein dans les laboratoires BELL aux USA et par Herbert F. Mataré [3] dans les laboratoires Telefunken à Lebus en Silésie (Allemagne). Dans chaque camp, les chercheurs découvrirent, vers 1942, que le rapprochement d’une seconde pointe exploratrice vers la pointe de la diode produisait une interférence entre ces deux pointes. L’urgence de la guerre, qui nécessitait l’amélioration des RADAR, ne permit pas d’approfondir cette découverte. Dès la paix revenue, et le retour aux activités civiles, ces chercheurs se remirent à explorer ce phénomène dans le but de découvrir un amplificateur (ou un commutateur) à l’état solide, ce que de nombreux laboratoires cherchaient à obtenir, dans une sorte de quête du Graal [4, 5], depuis les années 1920.

John Bardeen et Walter Houser Brattein dans les laboratoires BELL aux USA, et Herbert Frank Mataré avec Heinrich Welker chez Westinghouse, en France, mirent au point, quasiment en parallèle, un tel dispositif. Celui-ci naquit fin 1947 dans les laboratoires BELL et en mi-1948 dans ceux de Westinghouse. Les laboratoires BELL précédèrent de peu (d’une semaine) Westinghouse pour le dépôt d’un brevet en juin 1948 et obtinrent donc la paternité officielle de la découverte du transistor à pointes [Brevet US 2 524 035].

2                              3

Bardeen, Shockley, Brattain                                                  Herbert Mataré

 

4                            5

Reconstitution du transistor des laboratoires BELL                      Premier transistron (Westinghouse)

Jusque là, aucune place ne semble possible dans ce processus inventif pour une influence « extérieure ». Par contre, il n’en est pas de même pour la suite de l’histoire….

Après le dépôt du brevet par les Laboratoires BELL, ceux-ci et Westinghouse, cherchèrent à valoriser leur découverte. Dès 1948, au nom du progrès de l’humanité, les Laboratoires BELL cédèrent, à bas prix, des licences de leur transistor, ce qui incita la création de nombreuses jeunes entreprises. Celles-ci constituèrent le début de l’industrie microélectronique américaine. De son côté, Westinghouse, associé au CNET [6, 7, 8, 9], baptisa son dispositif « transistron » pour le différencier du « transistor » Américain. Une série, appelés PTT601, fut produite. Des transistrons furent utilisés pour équiper, dès 1953, un tronçon de la ligne téléphonique Paris-Nancy à Charmes dans les Vosges.

Pendant ce temps, au sein des Laboratoires BELL, W. Shockley s’était remis au travail [4] en reprenant, à la base, l’étude du transistor à la lumière de ses connaissances sur les jonctions découvertes depuis peu. Après quelques étapes intermédiaires, qui donnèrent lieu à des brevets de transistors hybrides (à pointes et à jonctions), un prototype fonctionnel de transistor à jonctions fut réalisé en 1949. En 1951, Gordon K. Teal et Morgan Spark réalisèrent un transistor à double jonctions, ancêtre des transistors bipolaires modernes.

6                      7

Premier transistor à simple jonction                                Premier transistor à double jonctions (dit sandwich)
W. Shockley 1949                                                         Gordon W. Teal et Morgan Spark 1951

A première vue, tout ceci semble clair, bien qu’en y regardant de plus près, certaines choses paraissent très surprenantes :

– Dès 1948, il semble que les laboratoires BELL savaient que leur brevet de transistor à pointes serait dépassé et l’ont donc bradé à faible prix.

– Il semble aussi qu’ils savaient que d’autres dispositifs, basés sur des jonctions, étaient réalisables. Ils ont donc poursuivi leurs études dans cette direction.

– Il semble enfin qu’ils savaient aussi que ces autres dispositifs seraient meilleurs à terme, malgré le fait que, pendant plusieurs années, les transistors à pointes furent meilleurs, en terme de fréquence, que les premiers transistors à jonction (fabriqués en germanium). Ceux-ci se sont d’ailleurs révélés peu stables et très lents. Il fallu attendre 1954 pour obtenir un dispositif stable (le transistor silicium) et 1960 pour une généralisation de son usage dans l’industrie.

Tout ceci montre une excellente, et très surprenante, faculté de précognition de la part des laboratoires BELL. Celle-ci pourrait s’expliquer en donnant foi aux propos de Ph. J. Corso sur la valorisation, sous l’impulsion de l’armée américaine, d’artefacts trouvés dans l’OVNI de Roswell. Dans son ouvrage [2], Ph. J. Corso cite la présence de disques semi-conducteurs dans le lot d’objets qui lui aurait été confié pour valorisation. Les choix des laboratoires BELL pourraient bien avoir été orientés par l’analyse de ces disques (qui ne comportaient certainement aucune pointe).

A la fin de son séjour en France, Herbert F. Mataré retourna en Allemagne et fonda Intermetall à Cologne pour produire des transistrons en série. Des exemplaires de transistrons Français et Allemands existent encore dans certains musées (bientôt, un exemplaire de transistron devrait être visible au Musée des Arts et Métiers à Paris).

Industrialisation des transistors à pointes et des transistrons :

8                          9

Transistor type A des laboratoires BELL      Transistron industriel (radiographie)

 Ce document ne prétend pas prouver l’existence d’une influence extraterrestre sur l’invention du transistor à jonction, mais simplement montrer un enchaînement d’évènements et un questionnement stratégique qui la rendrait plausible.

Le domaine des OVNI faisant l’objet d’un secret particulièrement épais, il est peu probable que nous ayons un jour prochain la confirmation ou l’infirmation de cette influence, pourtant très importante pour l’histoire des techniques.

 

Bibliographie :

[1]   F. Anceau, L’invention du transistor a-t-elle bénéficié d’un coup de pouce extraterrestre ?www.ufocom.eu/v_fr/m_sciences/Transistors/Histoire_transistors.htm , Juillet 2003

[2]   Ph. J. Corso and W. J. Birnes, The Days after Roswell, 1997, Pocket Books

[3]   fr.wikipedia.org/wiki/herbert_mataré

[4]   W. Shockley, The path of junction transistor, IEEE Transaction on Electron Devices, (reprise de 1976), nov 1984

[5]   F. Nebeker, The Electric Century, IEEE Spectrum, june 2000

[6]   Christian Licoppe, Chapitre 5- Les premières années des recherches sur le semi-conducteurs et les « transistrons » au CNET (1946-1956), in Réseaux, 1996 Hors Série 14 n° 1 pp123-146

[7]   Jean-Marie Moulon, Les transistrons dans les amplificateurs, Collection technique et scientifique du CNET, Gauthier-Villars, 1956

[8]   Christian Adam, The First French Germanium Semiconductors CFS Westinghouse Westectal Diodes and the Westcrel Transistron,www.radiomuseum.org/forum data/upload/130211_the_first_french_diodes_transistors_final_rmorg.pdf , feb 2011

[9]   C. Rumelhard, Un transistor Français ?, séminaire : L’électronique dans la société contemporaine, Musée des Arts et Métiers, 14 décembre 2007

Source

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Mise à jour sylv1 pour Area 51 blog, le13/01/2015 à :10h05.

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3 commentaires pour Sur la possibilité d’une influence « extérieure » dans le processus d’invention du transistor

  1. idnaze dit :

    ça ressemble un peut a la galène finalement ?
    La diode est la base de tout .
    S’il y a un influence extérieure, elle doit peut être venir de la télépathie et/ ou de l’égrégore ?

  2. Spirou4D dit :

    Je vous félicite tous les deux pour votre travail qui par cet article est excellent! Meilleurs Voeux de Santé et de Joie pour cette Nouvelle année 2015.

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